高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。

產(chǎn)品型號(hào)：LT-1ρ≥3Ω
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-09-01
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高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造，廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

少子壽命測(cè)試儀配置：

光脈沖發(fā)生裝置（重復(fù)頻率＞25次/s    脈寬≥60μs           光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜5μs
紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶）脈沖電源：5A～20A）
高頻源（頻率：30MHz        低輸出阻抗            輸出功率＞1W）
放大器和檢波器（頻率響應(yīng)：3Hz～1MHz）
配用示波器（配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz    Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)
如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源）
壽命測(cè)試范圍：10~6000μs
主機(jī)外形尺寸：W470×D365×H155
總重量：12Kg
電源：～220V 50Hz    功耗＜50W

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高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。

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